III – V grubu bileşik yarı iletkenler tarafından ayarlanabilir yakın alan ışınım transferi

İsim III – V grubu bileşik yarı iletkenler tarafından ayarlanabilir yakın alan ışınım transferi
Yazar Elçioğlu, E. B., Didari, Azadeh, Özyurt, T. O., Mengüç, Mustafa Pınar
Basım Tarihi: 2019-03-06
Basım Yeri - GİB Yayıncılığı
Konu Yakın alan termal radyasyonu, Enerji hasadı, Gofret malzemesi, Doping
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane: Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 0022-3727
Kayıt Numarası ff65a97b-96ff-4109-97f1-38482657707c
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2019-03-06
Notlar TÜBİTAK; Özyeğin Üniversitesi Enerji, Çevre ve Ekonomi Merkezi (CEEE), İstanbul, Türkiye
Örnek Metin Yakın alan ışınım transferi (NFRT), baskın emisyon dalga boyuna benzer veya ondan çok daha küçük mesafelerle ayrılmış ortamlar arasında gerçekleşen enerji transfer mekanizmasını ifade eder. NFRT, fani dalgaların katkısından ve nano boşluklar içindeki enerji transferinin tutarlı doğasından kaynaklanmaktadır ve Planck'ın kara cisim sınırını aşabilir. Araştırmacılar bu olguyu daha fazla araştırıp özel yapım platformlar üretmeye başladıkça, enerji hasadı uygulamalarında NFRT kullanımındaki gelişmeler her geçen gün daha da ilerlemektedir. Bu tür hasat cihazlarının tasarlanması ve üretilmesinde yüzeylerin ve levhaların kimyasal ve fiziksel özellikleri etkili çözümlerin geliştirilmesi açısından önemlidir. Bu çalışmada, gelecekteki cihazlarda olası kullanımlarını araştırmak amacıyla, çeşitli III-V grubu bileşik yarı iletken levhaları (esas olarak GaAs, InSb ve InP) üretim açısından karşılaştırıyoruz. Burada sunulan sonuçlar, katkı maddesi tipinin, levha sıcaklığının ve boşluk boyutunun NFRT oranlarını etkilediği için çok önemli faktörler olduğunu göstermektedir. GaAs, InSb ve InP levhaları, yakın alan akılarını kara cisim oranlarının ötesinde önemli ölçüde artırır ve n tipi InSb verimi en yüksek artışa ulaşır. GaAs için p-tipi, n-tipi GaAs'a kıyasla daha yüksek bir ışınım akısı sağladı; buna karşın n-tipi InSb, p-tipi ve katkısız muadillerinden daha iyi performans gösterdi. Ayrıca, etkili enerji hasadı için n-InSb'nin 550K'de TPV hücresi olarak olası kullanımı tartışılmaktadır. Bu bulgular, yayıcı ve yayıcı olmayan NFRT tabanlı enerji toplama cihazları için uygun malzeme türünün belirlenmesinde faydalı olabilir.
DOI 10.1088/1361-6463/aaf947
Cilt 52
Kaynağa git Özyeğin Üniversitesi Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru Özyeğin Üniversitesi

III – V grubu bileşik yarı iletkenler tarafından ayarlanabilir yakın alan ışınım transferi

Yazar Elçioğlu, E. B., Didari, Azadeh, Özyurt, T. O., Mengüç, Mustafa Pınar
Basım Tarihi 2019-03-06
Basım Yeri - GİB Yayıncılığı
Konu Yakın alan termal radyasyonu, Enerji hasadı, Gofret malzemesi, Doping
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 0022-3727
Kayıt Numarası ff65a97b-96ff-4109-97f1-38482657707c
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2019-03-06
Notlar TÜBİTAK; Özyeğin Üniversitesi Enerji, Çevre ve Ekonomi Merkezi (CEEE), İstanbul, Türkiye
Örnek Metin Yakın alan ışınım transferi (NFRT), baskın emisyon dalga boyuna benzer veya ondan çok daha küçük mesafelerle ayrılmış ortamlar arasında gerçekleşen enerji transfer mekanizmasını ifade eder. NFRT, fani dalgaların katkısından ve nano boşluklar içindeki enerji transferinin tutarlı doğasından kaynaklanmaktadır ve Planck'ın kara cisim sınırını aşabilir. Araştırmacılar bu olguyu daha fazla araştırıp özel yapım platformlar üretmeye başladıkça, enerji hasadı uygulamalarında NFRT kullanımındaki gelişmeler her geçen gün daha da ilerlemektedir. Bu tür hasat cihazlarının tasarlanması ve üretilmesinde yüzeylerin ve levhaların kimyasal ve fiziksel özellikleri etkili çözümlerin geliştirilmesi açısından önemlidir. Bu çalışmada, gelecekteki cihazlarda olası kullanımlarını araştırmak amacıyla, çeşitli III-V grubu bileşik yarı iletken levhaları (esas olarak GaAs, InSb ve InP) üretim açısından karşılaştırıyoruz. Burada sunulan sonuçlar, katkı maddesi tipinin, levha sıcaklığının ve boşluk boyutunun NFRT oranlarını etkilediği için çok önemli faktörler olduğunu göstermektedir. GaAs, InSb ve InP levhaları, yakın alan akılarını kara cisim oranlarının ötesinde önemli ölçüde artırır ve n tipi InSb verimi en yüksek artışa ulaşır. GaAs için p-tipi, n-tipi GaAs'a kıyasla daha yüksek bir ışınım akısı sağladı; buna karşın n-tipi InSb, p-tipi ve katkısız muadillerinden daha iyi performans gösterdi. Ayrıca, etkili enerji hasadı için n-InSb'nin 550K'de TPV hücresi olarak olası kullanımı tartışılmaktadır. Bu bulgular, yayıcı ve yayıcı olmayan NFRT tabanlı enerji toplama cihazları için uygun malzeme türünün belirlenmesinde faydalı olabilir.
DOI 10.1088/1361-6463/aaf947
Cilt 52
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi yönlendiriliyorsunuz...

Lütfen bekleyiniz.