Yazar
Karagöz, Ayşe, Başım, Gül Bahar, Siebert, M., Leunissen, L. A. H.
Basım Tarihi
2015
Basım Yeri
-
IEEE
Konu
III-V yarı iletkenler, Kimyasal mekanik parlatma, Kristalografi, Galyum bileşikleri, Düzlemselleştirme, Silikon bileşikleri, Geniş bant aralıklı yarı iletkenler
Tür
Belge
Dil
İngilizce
Dijital
Evet
Yazma
Hayır
Kütüphane
Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası
2-s2.0-84964510423
Kayıt Numarası
6ea789dd-2e3a-41c6-a49e-25e9ae01069a
Lokasyon
Makine Mühendisliği
Tarih
2015
Notlar
Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin
Bu çalışmada, GaN CMP için yüzey kusurunu kontrol ederken malzeme kaldırma oranını artıracak koşulları belirlemek için sistematik bir deneysel yaklaşım izlenmiştir. Ticari bir GaN numunesi için CMP koşullarını pH'ın ve cila pedi tipinin ve koşullandırmanın bir fonksiyonu olarak optimize etmek için silika bazlı bulamaçlar kullanıldı. Ayrıca, Yüz A ve Yüz B tipi kristalografik GaN yüzeylerinin CMP yanıtları değerlendirildi ve bilinmeyen yüzey kristalografik yapısına sahip 2" GaN levha ile karşılaştırıldı. Farklı kristalografik yüzeylerin temas açısı yanıtlarının, GaN yüzeyinin tipinin belirlenmesine yardımcı olabileceği ve CMP performansının eş zamanlı tahmin edilmesini destekleyebileceği gözlemlendi.
