خصوصیات لایه نازک اکسید فلز برای توسعه پلاناریزه سازی مکانیکی شیمیایی نسل جدید
| عنوان | خصوصیات لایه نازک اکسید فلز برای توسعه پلاناریزه سازی مکانیکی شیمیایی نسل جدید |
|---|---|
| نویسنده | باشیم، گل بهار، کاراغوز، آیشه |
| تاریخ انتشار: | 2016 |
| محل انتشار | - انجمن الکتروشیمیایی |
| موضوع | خصوصیات، پرداخت مکانیکی شیمیایی، مواد دی الکتریک، ترکیبات فلزی، فلزات، میکروالکترونیک، فیلم های اکسیدی، ساخت دستگاه های نیمه هادی، دستگاه های نیمه هادی، مواد نیمه هادی |
| نوع | دوره ای |
| زبان | انگلیسی |
| دیجیتال | بله |
| نسخه خطی | خیر |
| کتابخانه: | دانشگاه اوزیغین |
| شناسه دارایی کتابخانه | 1938-5862 |
| شماره ثبت | 7d6a6dbc-1c36-44f6-b2df-e34f0cc51ead |
| محل کتابخانه | مهندسی مکانیک |
| تاریخ | 2016 |
| متن نمونه | هدف این مطالعه ایجاد زمینه ای برای توسعه فرآیند در صنعت نیمه هادی نسل جدید است که با دستگاه های مقیاس اتمی سروکار دارد. ما بر روی توسعه فرآیند CMP تمرکز می کنیم زیرا برای مواد نیمه هادی فعلی و آینده در صنعت میکروالکترونیک برای مواد فلزی، نیمه هادی و دی الکتریک استفاده می شود. به ویژه، مکانیسمهای تشکیل و حذف سطح اتمی لایههای نازک اکسید فلزی ناشی از CMP برای لایههای فلزی و برهمکنش لایه هیدراته اصلاحشده شیمیایی برای فیلمهای نیمهرسانا به عنوان تمرکزی برای تولید دستگاههای نسل جدید ارائه شدهاند. |
| DOI | 10.1149/07203.0067ecst |
