Kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle WS2 nanometre tek katmanının sentezi
| İsim | Kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle WS2 nanometre tek katmanının sentezi |
|---|---|
| Yazar | Maryam Nayeri, Hamed Tahari, Fatemeh Ostovari |
| Basım Yeri | - Semnan Üniversitesi |
| Konu | Raman spektroskopisi |
| Tür | Süreli Yayın |
| Dil | Farsça |
| Dijital | Evet |
| Yazma | Hayır |
| Kütüphane: | Leicester Üniversitesi Kütüphanesi |
| Demirbaş Numarası | ISSN: 2008-4854, EISSN: 2783-2538, DOI: 10.22075/jme.2023.28234.2327 |
| Kayıt Numarası | cdi_doaj_primary_oai_doaj_org_article_69ece8aa234546d5920a89560fd27e5f |
| Lokasyon | DOAJ Açık Erişim Dergiler Dizini |
| Notlar | Tek katmanlı WS2, doğrudan bant aralığı ve yüksek fotolüminesans yoğunluğu nedeniyle optik cihazlarda kullanım için büyük umut vaat ediyor. Bu sayede teknolojik uygulamaların gerçekleştirilebilmesi için geniş alanlı ve kaliteli malzemeler şarttır. Bu araştırmada, WS2 tek katmanını kontrollü sıcaklık koşulları altında sentezliyoruz ve filmleri Fourier dönüşümü kızılötesi spektroskopisi (FTIR), Raman, x-ışını fotoelektron spektroskopileri ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanarak karakterize ediyoruz. Sonuçlar, taşıyıcı olarak argon gazının eklenmesiyle katman kalitesinin arttığını ve WS2'nin büyüme düzeyinin arttığını ve bunun sonucunda filmlerin ortalama 43 nm kaplama kalınlığı gösterdiğini göstermektedir. Büyüme sıcaklığının ve argon taşıyan gazın zamanında girişinin kontrol edilmesiyle WO3 öncüsü daha etkili bir şekilde azaltılır ve sentezlenen tek katmanların oksidatif aşındırması korunur. Hidrojen eklenmesi, WO3 öncülünü daha etkili bir şekilde azaltır ve sentezlenen tek katmanların oksidatif aşınmasına karşı koruma sağlar. Elde edilen sonuçlar, yaklaşık 26 nm'lik bir kristal boyutundan ve yaklaşık 43 nm'lik bir kalınlıktan oluşan tabakalardan oluşan tek bir katmanın iki boyutlu yapısının (2D) tam sentezini gösterir. |
Diğer Nüshalar
10
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 4863019
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5226253
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5299854
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5302085
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5302518
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5303523
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5304362
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5312917
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5334738
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
Kayıt Numarası: 5392625