Yazar
Karagöz, Ayşe, Siebert, M., Leunissen, P., Başım, Gül Bahar
Basım Tarihi
2016
Basım Yeri
-
ECS
Konu
Kimyasal mekanik parlatma
Tür
Belge
Dil
İngilizce
Dijital
Evet
Yazma
Hayır
Kütüphane
Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası
1938-5862
Kayıt Numarası
3a049b2e-f7ba-47f3-a460-1c22b897d758
Lokasyon
Makine Mühendisliği
Tarih
2016
Örnek Metin
Galyum nitrür, kimyasal mekanik düzlemselleştirme (CMP) uygulamalarında yüksek malzeme kaldırma oranlarını azaltan sert ve kimyasal olarak inert bir malzemedir. Bu makale, GaN CMP için yüzey kusurunu kontrol ederken malzeme çıkarma oranlarını artırmak için proses koşullarının optimizasyonuna odaklanmaktadır. GaN'nin iki farklı kristalografik yönelimi karakterize edilmiş ve ticari bir 2" GaN levha ile karşılaştırılarak levha kristalografik doğası, yüzey yükü ve topografya temelinde CMP performansı optimize edilmiştir. Bulamaç pH'ı, parlatma pedinin türü ve uygulanan koşullandırma, kusur oluşumunu en aza indirirken ve silikaya karşı seçiciliği arttırırken GaN'nin malzeme kaldırma oranlarını artırmak için değerlendirildi.
DOI
10.1149/07218.0055ecst
Cilt
72
