سنتز تک لایه نانومتری WS2 به روش رسوب شیمیایی بخار

عنوان سنتز تک لایه نانومتری WS2 به روش رسوب شیمیایی بخار
نویسنده مریم نیری ; حامد طاهری ; فاطمه استواری
تاریخ انتشار: 1379-01
موضوع روش cvd، تک لایه، طیف سنجی Raman، ws2
نوع دوره ای
زبان فارسی
دیجیتال بله
نسخه خطی خیر
کتابخانه: دانشگاه تورنتو
شناسه دارایی کتابخانه ISSN: 2008-4854, EISSN: 2783-2538, DOI: 10.22075/jme.2023.28234.2327
شماره ثبت cdi_doaj_primary_oai_doaj_org_article_69ece8aa234546d5920a89560fd27e5f
محل کتابخانه دایرکتوری DOAJ از مجلات دسترسی آزاد
تاریخ 1379-01
یادداشت‌ها تک لایه WS2 به دلیل وجود فاصله باند مستقیم و شدت نورتابی بالا، نوید زیادی را برای استفاده در دستگاه های نوری ارائه می دهد. به این ترتیب، مواد با مساحت بزرگ و با کیفیت بالا برای اجرای کاربردهای تکنولوژیکی ضروری هستند. در این تحقیق، ما تک‌لایه WS2 را تحت شرایط دمای کنترل‌شده سنتز کرده و فیلم‌ها را با استفاده از طیف‌سنجی فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR)، رامان، طیف‌سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخص می‌کنیم. نتایج نشان می‌دهد که با معرفی گاز آرگون به‌عنوان حامل، کیفیت لایه بهبود می‌یابد و سطح رشد WS2 افزایش می‌یابد و در نتیجه لایه‌ها میانگین ضخامت پوشش 43 نانومتر را نشان می‌دهند. با کنترل دمای رشد و ورود به موقع گاز حامل آرگون، پیش ساز WO3 به طور موثرتری کاهش می یابد و از اچ اکسیداتیو تک لایه های سنتز شده محافظت می شود. افزودن هیدروژن به طور موثرتری پیش‌ساز WO3 را کاهش می‌دهد و از اچ اکسیداتیو تک‌لایه‌های سنتز شده محافظت می‌کند. نتایج به‌دست‌آمده نشان‌دهنده سنتز کامل یک ساختار دو بعدی (2D) از یک لایه تک لایه با ورقه‌های متشکل از اندازه کریستالی حدود 26 نانومتر با ضخامت حدود 43 نانومتر است.
Erişim bilgileri Access content in Directory of Open Access Journals, Available Online
مشاهده در منبع دانشگاه تورنتو دانشگاه تورنتو - موتور جستجوی نسخه های خطی عثمانی
دانشگاه تورنتو - موتور جستجوی نسخه های خطی عثمانی دانشگاه تورنتو

سنتز تک لایه نانومتری WS2 به روش رسوب شیمیایی بخار

نویسنده مریم نیری ; حامد طاهری ; فاطمه استواری
تاریخ انتشار 1379-01
موضوع روش cvd، تک لایه، طیف سنجی Raman، ws2
نوع دوره ای
زبان فارسی
دیجیتال بله
نسخه خطی خیر
کتابخانه دانشگاه تورنتو
شناسه دارایی کتابخانه ISSN: 2008-4854, EISSN: 2783-2538, DOI: 10.22075/jme.2023.28234.2327
شماره ثبت cdi_doaj_primary_oai_doaj_org_article_69ece8aa234546d5920a89560fd27e5f
محل کتابخانه دایرکتوری DOAJ از مجلات دسترسی آزاد
تاریخ 1379-01
یادداشت‌ها تک لایه WS2 به دلیل وجود فاصله باند مستقیم و شدت نورتابی بالا، نوید زیادی را برای استفاده در دستگاه های نوری ارائه می دهد. به این ترتیب، مواد با مساحت بزرگ و با کیفیت بالا برای اجرای کاربردهای تکنولوژیکی ضروری هستند. در این تحقیق، ما تک‌لایه WS2 را تحت شرایط دمای کنترل‌شده سنتز کرده و فیلم‌ها را با استفاده از طیف‌سنجی فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR)، رامان، طیف‌سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخص می‌کنیم. نتایج نشان می‌دهد که با معرفی گاز آرگون به‌عنوان حامل، کیفیت لایه بهبود می‌یابد و سطح رشد WS2 افزایش می‌یابد و در نتیجه لایه‌ها میانگین ضخامت پوشش 43 نانومتر را نشان می‌دهند. با کنترل دمای رشد و ورود به موقع گاز حامل آرگون، پیش ساز WO3 به طور موثرتری کاهش می یابد و از اچ اکسیداتیو تک لایه های سنتز شده محافظت می شود. افزودن هیدروژن به طور موثرتری پیش‌ساز WO3 را کاهش می‌دهد و از اچ اکسیداتیو تک‌لایه‌های سنتز شده محافظت می‌کند. نتایج به‌دست‌آمده نشان‌دهنده سنتز کامل یک ساختار دو بعدی (2D) از یک لایه تک لایه با ورقه‌های متشکل از اندازه کریستالی حدود 26 نانومتر با ضخامت حدود 43 نانومتر است.
Erişim bilgileri Access content in Directory of Open Access Journals, Available Online
دانشگاه تورنتو - موتور جستجوی نسخه های خطی عثمانی
دانشگاه تورنتو شما در حال هدایت مجدد هستید...

لطفاً صبر کنید