سنتز تک لایه نانومتری WS2 به روش رسوب شیمیایی بخار
| عنوان | سنتز تک لایه نانومتری WS2 به روش رسوب شیمیایی بخار |
|---|---|
| نویسنده | مریم نیری، حامد طاهری، فاطمه استواری |
| محل انتشار | دانشگاه سمنان - دانشگاه سمنان |
| موضوع | طیف سنجی رامان |
| نوع | دوره ای |
| زبان | فارسی |
| دیجیتال | بله |
| نسخه خطی | خیر |
| کتابخانه: | کتابخانه های دانشگاه نورث وسترن |
| شماره ثبت | cdi_doaj_primary_oai_doaj_org_article_69ece8aa234546d5920a89560fd27e5f |
| محل کتابخانه | گزینه های درخواست را بررسی کنید |
| یادداشتها | تک لایه WS2 به دلیل وجود فاصله باند مستقیم و شدت نورتابی بالا، نوید زیادی را برای استفاده در دستگاه های نوری ارائه می دهد. به این ترتیب، مواد با مساحت بزرگ و با کیفیت بالا برای اجرای کاربردهای تکنولوژیکی ضروری هستند. در این تحقیق، ما تکلایه WS2 را تحت شرایط دمای کنترلشده سنتز کرده و فیلمها را با استفاده از طیفسنجی فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR)، رامان، طیفسنجی فوتوالکترون پرتو ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخص میکنیم. نتایج نشان میدهد که با معرفی گاز آرگون بهعنوان حامل، کیفیت لایه بهبود مییابد و سطح رشد WS2 افزایش مییابد و در نتیجه لایهها میانگین ضخامت پوشش 43 نانومتر را نشان میدهند. با کنترل دمای رشد و ورود به موقع گاز حامل آرگون، پیش ساز WO3 به طور موثرتری کاهش می یابد و از اچ اکسیداتیو تک لایه های سنتز شده محافظت می شود. افزودن هیدروژن به طور موثرتری پیشساز WO3 را کاهش میدهد و از اچ اکسیداتیو تکلایههای سنتز شده محافظت میکند. نتایج بهدستآمده نشاندهنده سنتز کامل یک ساختار دو بعدی (2D) از یک لایه تک لایه با ورقههای متشکل از اندازه کریستالی حدود 26 نانومتر با ضخامت حدود 43 نانومتر است. |
نسخههای دیگر
10
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 4689934
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5226253
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5299854
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5302085
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5302518
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5303523
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5304362
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5312917
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5334738
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
شماره ثبت: 5392625