شبیه سازی مونت کارلو برای انتقال فونون در ساختارهای سیلیکونی در مقیاس نانو با تولید گرما
| عنوان | شبیه سازی مونت کارلو برای انتقال فونون در ساختارهای سیلیکونی در مقیاس نانو با تولید گرما |
|---|---|
| نویسنده | وونگ، بی تی، فرانکوئور، م.، منگوچ، مصطفی پینار |
| تاریخ انتشار: | 2011-04 |
| محل انتشار | - الزویر |
| موضوع | مونت کارلو، انتقال فونون، لایه نازک سیلیکونی، تولید گرما، انتقال بالستیک، تابش گرمایی میدان نزدیک، قانون فوریه، معادله انتشار گرما |
| نوع | دوره ای |
| زبان | انگلیسی |
| دیجیتال | بله |
| نسخه خطی | خیر |
| کتابخانه: | دانشگاه اوزیغین |
| شناسه دارایی کتابخانه | 0017-9310 |
| شماره ثبت | f4e73fa3-41ab-45aa-b89d-dd396ddbadcc |
| محل کتابخانه | مهندسی مکانیک |
| تاریخ | 2011-04 |
| یادداشتها | بنیاد علم و مهندسی کنتاکی؛ کمیسیون اروپا |
| متن نمونه | انتقال فونون در مقیاس نانو در ساختارهای سیلیکونی تحت تولید گرمای داخلی مورد بررسی قرار گرفت. از شبیه سازی مونت کارلو استفاده شد. روشهای شبیهسازی با روشهای موجود فعلی که در آن فونونهای زیر یک «دمای مرجع» از پیش تعریفشده برای کاهش ذخیرهسازی حافظه و منابع محاسباتی در نظر گرفته نمیشوند، متفاوت است. نتایج نشان داد که معادله انتشار گرما به طور قابل توجهی توزیع دما در مقیاس نانو را در حضور یک منبع گرمای خارجی دست کم میگیرد. بحث در مورد توزیع دما در داخل لایه نازک سیلیکونی هنگام گرم شدن توسط لیزر پالسی، پرتو الکترونی یا به دلیل اثرات تابش حرارتی میدان نزدیک نیز ارائه شد. |
| DOI | 10.1016/j.ijheatmasstransfer.2010.10.039 |
| Cilt | 54 |
