طراحی تقویت کننده با توان بالا باند پهن با استفاده از فناوری GaN HEMT

عنوان طراحی تقویت کننده با توان بالا باند پهن با استفاده از فناوری GaN HEMT
نویسنده تورت، دوغانجان، آکگیرای، احمد هالید
تاریخ انتشار: 2021
محل انتشار - IEEE
موضوع GaN HEMT، راندمان بالا، راندمان افزوده توان (PAE)، تقویت کننده قدرت (PA)، باند پهن
نوع سند
زبان انگلیسی
دیجیتال بله
نسخه خطی خیر
کتابخانه: دانشگاه اوزیغین
شناسه دارایی کتابخانه 978-166542816-3
شماره ثبت 71c61e51-34d0-47a1-8934-7494b1f4f1d9
محل کتابخانه مهندسی برق و الکترونیک
تاریخ 2021
یادداشت‌ها کری شرکت
متن نمونه این مقاله طراحی و اندازه‌گیری یک تقویت‌کننده قدرت باند پهن GaN HEMT را ارائه می‌کند که برای رادیوهای نقطه به نقطه، سیستم‌های جنگ الکترونیک و کاربردهای آزمایش و اندازه‌گیری در نظر گرفته شده است. تقویت‌کننده توان پیشنهادی ساخته شده است و اندازه‌گیری‌های سیگنال کوچک/بزرگ جمع‌آوری می‌شوند. طراحی ساخته شده برای توان ورودی 26 dBm انجام شده و بین 39.6 - 40.9 dBm توان خروجی به دست می آید. راندمان افزوده برق (PAE) از 45.9% تا 61.4% در باند (0.5 - 2.5 گیگاهرتز) می باشد. در این تحقیق از ترانزیستور CGH40010F Wolfspeed در حالت CW استفاده شده است. به منظور تصمیم گیری منبع بهینه و امپدانس بار ترانزیستور، شبیه سازی منبع بار- کشش انجام می شود. پس از شبیه‌سازی منبع بار-کشش، شبکه‌های تطبیق منبع و بار مناسب ایجاد می‌شوند تا توان خروجی بهینه و مقادیر بازده در باند به دست آید.
DOI 10.1109/ICRAMET53537.2021.9650475
مشاهده در منبع دانشگاه اوزیغین دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات
دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات دانشگاه اوزیغین

طراحی تقویت کننده با توان بالا باند پهن با استفاده از فناوری GaN HEMT

نویسنده تورت، دوغانجان، آکگیرای، احمد هالید
تاریخ انتشار 2021
محل انتشار - IEEE
موضوع GaN HEMT، راندمان بالا، راندمان افزوده توان (PAE)، تقویت کننده قدرت (PA)، باند پهن
نوع سند
زبان انگلیسی
دیجیتال بله
نسخه خطی خیر
کتابخانه دانشگاه اوزیغین
شناسه دارایی کتابخانه 978-166542816-3
شماره ثبت 71c61e51-34d0-47a1-8934-7494b1f4f1d9
محل کتابخانه مهندسی برق و الکترونیک
تاریخ 2021
یادداشت‌ها کری شرکت
متن نمونه این مقاله طراحی و اندازه‌گیری یک تقویت‌کننده قدرت باند پهن GaN HEMT را ارائه می‌کند که برای رادیوهای نقطه به نقطه، سیستم‌های جنگ الکترونیک و کاربردهای آزمایش و اندازه‌گیری در نظر گرفته شده است. تقویت‌کننده توان پیشنهادی ساخته شده است و اندازه‌گیری‌های سیگنال کوچک/بزرگ جمع‌آوری می‌شوند. طراحی ساخته شده برای توان ورودی 26 dBm انجام شده و بین 39.6 - 40.9 dBm توان خروجی به دست می آید. راندمان افزوده برق (PAE) از 45.9% تا 61.4% در باند (0.5 - 2.5 گیگاهرتز) می باشد. در این تحقیق از ترانزیستور CGH40010F Wolfspeed در حالت CW استفاده شده است. به منظور تصمیم گیری منبع بهینه و امپدانس بار ترانزیستور، شبیه سازی منبع بار- کشش انجام می شود. پس از شبیه‌سازی منبع بار-کشش، شبکه‌های تطبیق منبع و بار مناسب ایجاد می‌شوند تا توان خروجی بهینه و مقادیر بازده در باند به دست آید.
DOI 10.1109/ICRAMET53537.2021.9650475
دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات
دانشگاه اوزیغین شما در حال هدایت مجدد هستید...

لطفاً صبر کنید