Raman spektroskopisi, mikrokızılötesi (IR) görüntüleme ve İleri voltaj yöntemleriyle LED'lerin bağlantı sıcaklığı ölçümleri üzerine karşılaştırmalı bir çalışma

İsim Raman spektroskopisi, mikrokızılötesi (IR) görüntüleme ve İleri voltaj yöntemleriyle LED'lerin bağlantı sıcaklığı ölçümleri üzerine karşılaştırmalı bir çalışma
Yazar Tamdoğan, Enes, Pavlidis, G., Graham, S., Arık, Mehmet
Basım Tarihi: 2018-11
Basım Yeri - IEEE
Konu İleri voltaj, Kızılötesi (IR) görüntüleme, Işık yayan diyot (LED) bağlantı sıcaklığı ölçümü, Fosfor kaplama, Raman spektroskopisi, RGB
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane: Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 2156-3950
Kayıt Numarası 89eaa269-a992-48dd-921d-0dfe20a70d5d
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2018-11
Notlar AB FP7 Kariyer Entegrasyonu; İstanbul Kalkınma Ajansı
Örnek Metin Katı hal ışık kaynaklarının enerji verimliliği, uzun ömrü, olağanüstü renkleri ve performansı, akkor lambaların uzun geçmişinden sonra, özellikle genel aydınlatmaya yönelik bir dizi pratik uygulamada hızla artan bir trende yol açtı. Ayrıca ışık yayan diyotların (LED'ler), cihazın kalitesi ve ömrü açısından hayati önem taşıyan termal sınırlamaları vardır. Spesifik olarak, ısı dağılımını iyileştirmek için LED performansını değerlendirmek için kullanılan ana parametrelerden biri termal dirençtir (R). Direncin azaltılması, çalışma sırasında p-n bağlantısından ortama ısı akışını iyileştirebilir. Bu parametreyi ölçmek için LED bağlantı sıcaklığının (TJ) belirlenmesi gerekir. Bu yazıda, bağlantı sıcaklıkları ilk olarak 465 nm çıplak mavi LED çipi (herhangi bir fosfor kaplaması olmadan) için ileri voltaj yöntemi (FVM), Raman spektroskopisi ve kızılötesi (IR) görüntüleme ile ölçülür. Daha sonra aynı numuneler, mavi ışığın beyaz ışığa dönüştürülmesi için fosfor partikülleri ilaveli epoksi karışımı (%13, 4300 CCT) ile kaplandı ve bağlantı sıcaklıkları daha önce bahsedilen üç yöntemle deneysel olarak tekrar ölçüldü ve birbirleriyle karşılaştırıldı. IR görüntüleme, yüzey üzerindeki olası sıcak noktaları yakalama konusunda daha iyi bir yetenek gösterirken, Raman yöntemi ve FVM, 465 nm mavi (kaplamasız) LED çipi için bağlantı sıcaklığının ölçülmesi konusunda oldukça iyi bir uyum içindeydi. Ancak kaplama sonrasında gerçekleştirilen ölçümler IR görüntüleme ve Raman yöntemleriyle biraz farklı sonuçlar verirken FVM, kaplanmış talaşlar için tutarlı sonuçlar verdi.
DOI 10.1109/TCPMT.2018.2799488
Cilt 8
Kaynağa git Özyeğin Üniversitesi Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru Özyeğin Üniversitesi

Raman spektroskopisi, mikrokızılötesi (IR) görüntüleme ve İleri voltaj yöntemleriyle LED'lerin bağlantı sıcaklığı ölçümleri üzerine karşılaştırmalı bir çalışma

Yazar Tamdoğan, Enes, Pavlidis, G., Graham, S., Arık, Mehmet
Basım Tarihi 2018-11
Basım Yeri - IEEE
Konu İleri voltaj, Kızılötesi (IR) görüntüleme, Işık yayan diyot (LED) bağlantı sıcaklığı ölçümü, Fosfor kaplama, Raman spektroskopisi, RGB
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 2156-3950
Kayıt Numarası 89eaa269-a992-48dd-921d-0dfe20a70d5d
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2018-11
Notlar AB FP7 Kariyer Entegrasyonu; İstanbul Kalkınma Ajansı
Örnek Metin Katı hal ışık kaynaklarının enerji verimliliği, uzun ömrü, olağanüstü renkleri ve performansı, akkor lambaların uzun geçmişinden sonra, özellikle genel aydınlatmaya yönelik bir dizi pratik uygulamada hızla artan bir trende yol açtı. Ayrıca ışık yayan diyotların (LED'ler), cihazın kalitesi ve ömrü açısından hayati önem taşıyan termal sınırlamaları vardır. Spesifik olarak, ısı dağılımını iyileştirmek için LED performansını değerlendirmek için kullanılan ana parametrelerden biri termal dirençtir (R). Direncin azaltılması, çalışma sırasında p-n bağlantısından ortama ısı akışını iyileştirebilir. Bu parametreyi ölçmek için LED bağlantı sıcaklığının (TJ) belirlenmesi gerekir. Bu yazıda, bağlantı sıcaklıkları ilk olarak 465 nm çıplak mavi LED çipi (herhangi bir fosfor kaplaması olmadan) için ileri voltaj yöntemi (FVM), Raman spektroskopisi ve kızılötesi (IR) görüntüleme ile ölçülür. Daha sonra aynı numuneler, mavi ışığın beyaz ışığa dönüştürülmesi için fosfor partikülleri ilaveli epoksi karışımı (%13, 4300 CCT) ile kaplandı ve bağlantı sıcaklıkları daha önce bahsedilen üç yöntemle deneysel olarak tekrar ölçüldü ve birbirleriyle karşılaştırıldı. IR görüntüleme, yüzey üzerindeki olası sıcak noktaları yakalama konusunda daha iyi bir yetenek gösterirken, Raman yöntemi ve FVM, 465 nm mavi (kaplamasız) LED çipi için bağlantı sıcaklığının ölçülmesi konusunda oldukça iyi bir uyum içindeydi. Ancak kaplama sonrasında gerçekleştirilen ölçümler IR görüntüleme ve Raman yöntemleriyle biraz farklı sonuçlar verirken FVM, kaplanmış talaşlar için tutarlı sonuçlar verdi.
DOI 10.1109/TCPMT.2018.2799488
Cilt 8
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi yönlendiriliyorsunuz...

Lütfen bekleyiniz.