Yazar
Yagan, Rawana, Başım, Gül Bahar
Basım Tarihi
2019-04-09
Basım Yeri
-
GİB Yayıncılığı
Tür
Süreli Yayın
Dil
İngilizce
Dijital
Evet
Yazma
Hayır
Kütüphane
Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası
2162-8769
Kayıt Numarası
8d2bd645-3275-46da-80c9-8e485f095889
Lokasyon
Makine Mühendisliği
Tarih
2019-04-09
Örnek Metin
10 nm düğümler ve ötesi için Kimyasal Mekanik Düzlemselleştirme (CMP) prosesinin geliştirilmesi, malzeme uzaklaştırma, seçicilik ve kusurluluğun kontrolü için atomik ölçekte kimyasal ve mekanik yüzey etkileşimlerinin sistematik olarak anlaşılmasını gerektirir. Özellikle bariyer/astar filmlerin CMP'si, arayüzdeki temas metaline daha iyi yapışmak ve metalin transistörlere yayılma olasılığını sınırlamak için tanıtılan yeni malzemelerle zorludur. Bariyer malzemelerinin temas metaline karşı CMP uzaklaştırma oranlarının göreceli seçiciliğinin, entegrasyon şemasına bağlı olarak kontrol edilmesi gerekir. Bu makale, elektrokimyasal değerlendirmeler ve kimyasal olarak değiştirilmiş ince film analizleri yoluyla W/Ti/TiN model uygulamalarında bariyer CMP proses seçiciliğinin anlaşılmasına odaklanmaktadır. Bulamaç kimyasının ve aşındırıcı parçacık katı madde yükünün bir fonksiyonu olarak çeşitli bulamaç formülasyonlarındaki pasivasyon oranlarını değerlendirmek için W/Ti/TiN sistemi üzerinde ex-situ elektrokimyasal değerlendirmeler gerçekleştirilir. Pasivasyon oranlarının sonuçları, çıkarma hızı seçiciliği ve körlenmiş W, Ti ve TiN filmlerinde CMP sonrası yüzey kalitesiyle karşılaştırılır. Yeni ve daha zorlu bariyer filmleri için ex-situ elektrokimyasal analizler aracılığıyla CMP bulamaç formülasyonlarına yönelik yeni bir metodolojinin ana hatları çizilirken aynı zamanda metalik katmanlarda korozyonun önlenmesine yönelik bir yaklaşım da vurgulanıyor.
DOI
10.1149/2.0181905jss
Cilt
8
