İnce filmlerde yüzey fonon-polariton bağlantısı yoluyla yakın alan ışınımlı ısı transferinin kontrolü

İsim İnce filmlerde yüzey fonon-polariton bağlantısı yoluyla yakın alan ışınımlı ısı transferinin kontrolü
Yazar Francoeur, M., Mengüç, Mustafa Pınar, Vaillon, R.
Basım Tarihi: 2011-06
Basım Yeri - Springer İş+Medya
Konu Yakın alan ışınımlı ısı transferi
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane: Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 1432-0630
Kayıt Numarası d3c3f1ae-6f6d-4e50-bc79-cf1552af1368
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2011-06
Notlar Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin Kızılötesi spektrumda yüzey fonon-polaritonlarını destekleyen silisyum karbür ince filmlerin kullanımıyla yakın alan ışınımlı ısı transferini kontrol etme olasılığı araştırılmıştır. Bu amaçla, iki SiC filmi arasında oluşan nanometrik boşluk ve ince katmanlar arasında aktarılan ışınımsal ısı akısı içerisinde elektromanyetik durumların yerel yoğunluğu hesaplanır ve analiz edilir.
DOI 10.1007/s00339-010-6184-0
Cilt 103
Kaynağa git Özyeğin Üniversitesi Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru Özyeğin Üniversitesi

İnce filmlerde yüzey fonon-polariton bağlantısı yoluyla yakın alan ışınımlı ısı transferinin kontrolü

Yazar Francoeur, M., Mengüç, Mustafa Pınar, Vaillon, R.
Basım Tarihi 2011-06
Basım Yeri - Springer İş+Medya
Konu Yakın alan ışınımlı ısı transferi
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 1432-0630
Kayıt Numarası d3c3f1ae-6f6d-4e50-bc79-cf1552af1368
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2011-06
Notlar Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin Kızılötesi spektrumda yüzey fonon-polaritonlarını destekleyen silisyum karbür ince filmlerin kullanımıyla yakın alan ışınımlı ısı transferini kontrol etme olasılığı araştırılmıştır. Bu amaçla, iki SiC filmi arasında oluşan nanometrik boşluk ve ince katmanlar arasında aktarılan ışınımsal ısı akısı içerisinde elektromanyetik durumların yerel yoğunluğu hesaplanır ve analiz edilir.
DOI 10.1007/s00339-010-6184-0
Cilt 103
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi yönlendiriliyorsunuz...

Lütfen bekleyiniz.