کنترل انتقال حرارت تابشی میدان نزدیک از طریق جفت سطحی فونون-پلاریتون در لایه های نازک
| عنوان | کنترل انتقال حرارت تابشی میدان نزدیک از طریق جفت سطحی فونون-پلاریتون در لایه های نازک |
|---|---|
| نویسنده | فرانکوئور، ام.، منگوچ، مصطفی پینار، وایلون، آر. |
| تاریخ انتشار: | 2011-06 |
| محل انتشار | - Springer Business + Media |
| موضوع | انتقال حرارت تابشی میدان نزدیک |
| نوع | دوره ای |
| زبان | انگلیسی |
| دیجیتال | بله |
| نسخه خطی | خیر |
| کتابخانه: | دانشگاه اوزیغین |
| شناسه دارایی کتابخانه | 1432-0630 |
| شماره ثبت | d3c3f1ae-6f6d-4e50-bc79-cf1552af1368 |
| محل کتابخانه | مهندسی مکانیک |
| تاریخ | 2011-06 |
| یادداشتها | با توجه به محدودیت های کپی رایت، دسترسی به متن کامل این مقاله تنها از طریق اشتراک امکان پذیر است. |
| متن نمونه | امکان کنترل انتقال حرارت تابشی میدان نزدیک با استفاده از لایههای نازک کاربید سیلیکون که از فونون-پلاریتونهای سطحی در طیف مادون قرمز پشتیبانی میکنند، بررسی شدهاست. برای این منظور، چگالی موضعی حالات الکترومغناطیسی در شکاف نانومتری تشکیل شده بین دو فیلم SiC و همچنین شار حرارتی تابشی مبادله شده بین لایههای نازک محاسبه و تجزیه و تحلیل میشود. |
| DOI | 10.1007/s00339-010-6184-0 |
| Cilt | 103 |
