İki ince silisyum karbür film arasındaki yakın alan ışınımlı ısı akışının spektral ayarı

İsim İki ince silisyum karbür film arasındaki yakın alan ışınımlı ısı akışının spektral ayarı
Yazar Francoeur, M., Mengüç, Mustafa Pınar, Vaillon, R.
Basım Tarihi: 2010
Basım Yeri - Fizik Enstitüsü
Konu Yoğun madde: elektriksel, manyetik ve optik, Yarı iletkenler, Yüzeyler, arayüzler ve ince filmler
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane: Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 1361-6463
Kayıt Numarası 768a2447-fb2e-4f00-b890-663f705bd13a
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2010
Notlar Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin Vakumda dalga boyu altı mesafelerle ayrılan iki ince silisyum karbür film arasındaki ışınımsal ısı akışının spektral dağılımları analiz edilir. Film yansıma ve iletim katsayıları açısından sonlu kalınlıktaki iki katman arasındaki yakın alan akısı için ilk kez analitik bir ifade elde edildi. Ortaya çıkan denklem, termal emisyonun, absorpsiyonun rezonans modlarını ve katmanlar arasındaki yüzey fonon-polaritonlarının (SPhP'ler) çapraz bağlanmasını açıkça göstermektedir. Filmler aynı kalınlıkta olduğunda, yakın alan termal emisyonunu maksimuma çıkaran rezonans frekansları, absorpsiyonunkilerle neredeyse eşleşir. Filmler arasındaki SPhP bağlantısından kaynaklanan küçük farklılıklar, çoğunlukla düşük frekans modunu etkileyen spektral tutarlılık kaybına yol açar. Akı profilleri aynı zamanda rezonansın iki farklı frekansa bölünmesinin, filmin ayırma aralığı üzerindeki kalınlık oranı birden az olduğunda meydana geldiğini göstermektedir. Bir filmin kalınlığı diğerine göre arttığında, yüksek emisyon ve absorpsiyonun rezonans frekansları arasındaki önemli uyumsuzluk nedeniyle akının spektral dağılımları önemli ölçüde değişir. Yakın alan akısındaki bu değişiklik çoğunlukla artan kalınlıktaki katman içindeki zayıf SPhP birleşiminden kaynaklanmaktadır. Dispersiyon ilişkisinin asimptotik analizine dayanarak, potansiyel olarak birden fazla ince katmana genişletilebilen iki film arasındaki akıyı maksimuma çıkaran rezonans modlarını tahmin etmek için yaklaşık bir yaklaşım önerilmektedir. Bu çalışmanın sonucu, yakın alan ışınımlı ısı transferinin uyarlanmasına olanak tanıyacak ve en sonunda enerji hasadı uygulamaları için özelleştirilmiş nanoyapıların tasarlanması için kullanılabilecektir.
Cilt 43
Kaynağa git Özyeğin Üniversitesi Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru Özyeğin Üniversitesi

İki ince silisyum karbür film arasındaki yakın alan ışınımlı ısı akışının spektral ayarı

Yazar Francoeur, M., Mengüç, Mustafa Pınar, Vaillon, R.
Basım Tarihi 2010
Basım Yeri - Fizik Enstitüsü
Konu Yoğun madde: elektriksel, manyetik ve optik, Yarı iletkenler, Yüzeyler, arayüzler ve ince filmler
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 1361-6463
Kayıt Numarası 768a2447-fb2e-4f00-b890-663f705bd13a
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2010
Notlar Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin Vakumda dalga boyu altı mesafelerle ayrılan iki ince silisyum karbür film arasındaki ışınımsal ısı akışının spektral dağılımları analiz edilir. Film yansıma ve iletim katsayıları açısından sonlu kalınlıktaki iki katman arasındaki yakın alan akısı için ilk kez analitik bir ifade elde edildi. Ortaya çıkan denklem, termal emisyonun, absorpsiyonun rezonans modlarını ve katmanlar arasındaki yüzey fonon-polaritonlarının (SPhP'ler) çapraz bağlanmasını açıkça göstermektedir. Filmler aynı kalınlıkta olduğunda, yakın alan termal emisyonunu maksimuma çıkaran rezonans frekansları, absorpsiyonunkilerle neredeyse eşleşir. Filmler arasındaki SPhP bağlantısından kaynaklanan küçük farklılıklar, çoğunlukla düşük frekans modunu etkileyen spektral tutarlılık kaybına yol açar. Akı profilleri aynı zamanda rezonansın iki farklı frekansa bölünmesinin, filmin ayırma aralığı üzerindeki kalınlık oranı birden az olduğunda meydana geldiğini göstermektedir. Bir filmin kalınlığı diğerine göre arttığında, yüksek emisyon ve absorpsiyonun rezonans frekansları arasındaki önemli uyumsuzluk nedeniyle akının spektral dağılımları önemli ölçüde değişir. Yakın alan akısındaki bu değişiklik çoğunlukla artan kalınlıktaki katman içindeki zayıf SPhP birleşiminden kaynaklanmaktadır. Dispersiyon ilişkisinin asimptotik analizine dayanarak, potansiyel olarak birden fazla ince katmana genişletilebilen iki film arasındaki akıyı maksimuma çıkaran rezonans modlarını tahmin etmek için yaklaşık bir yaklaşım önerilmektedir. Bu çalışmanın sonucu, yakın alan ışınımlı ısı transferinin uyarlanmasına olanak tanıyacak ve en sonunda enerji hasadı uygulamaları için özelleştirilmiş nanoyapıların tasarlanması için kullanılabilecektir.
Cilt 43
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi yönlendiriliyorsunuz...

Lütfen bekleyiniz.