تنظیم طیفی شار حرارتی تابشی میدان نزدیک بین دو فیلم نازک کاربید سیلیکون

عنوان تنظیم طیفی شار حرارتی تابشی میدان نزدیک بین دو فیلم نازک کاربید سیلیکون
نویسنده فرانکوئور، ام.، منگوچ، مصطفی پینار، وایلون، آر.
تاریخ انتشار: 2010
محل انتشار - موسسه فیزیک
موضوع مواد متراکم: الکتریکی، مغناطیسی و نوری، نیمه هادی ها، سطوح، رابط ها و لایه های نازک
نوع دوره ای
زبان انگلیسی
دیجیتال بله
نسخه خطی خیر
کتابخانه: دانشگاه اوزیغین
شناسه دارایی کتابخانه 1361-6463
شماره ثبت 768a2447-fb2e-4f00-b890-663f705bd13a
محل کتابخانه مهندسی مکانیک
تاریخ 2010
یادداشت‌ها با توجه به محدودیت های کپی رایت، دسترسی به متن کامل این مقاله تنها از طریق اشتراک امکان پذیر است.
متن نمونه توزیع طیفی شار حرارتی تابشی بین دو فیلم نازک کاربید سیلیکون که با فاصله‌های زیر طول موج در خلاء از هم جدا شده‌اند، تحلیل می‌شوند. یک بیان تحلیلی برای شار میدان نزدیک بین دو لایه با ضخامت محدود از نظر بازتاب فیلم و ضرایب انتقال برای اولین بار به دست می‌آید. معادله به‌دست‌آمده به وضوح حالت‌های تشدید انتشار حرارتی، جذب و جفت متقابل فونون-پلاریتون‌های سطحی (SPhPs) بین لایه‌ها را نشان می‌دهد. هنگامی که لایه‌ها ضخامت یکسانی دارند، فرکانس‌های تشدید که انتشار حرارتی میدان نزدیک را به حداکثر می‌رساند تقریباً با فرکانس‌های جذب مطابقت دارد. اختلافات کوچک، به دلیل جفت شدن SPhP بین فیلم ها، منجر به از دست دادن انسجام طیفی می شود که بیشتر بر حالت فرکانس پایین تأثیر می گذارد. پروفیل‌های شار همچنین نشان می‌دهند که تقسیم رزونانس به دو فرکانس متمایز زمانی اتفاق می‌افتد که نسبت ضخامت فیلم به شکاف جداسازی کمتر از واحد باشد. هنگامی که ضخامت یک فیلم نسبت به دیگری افزایش می یابد، توزیع طیفی شار به دلیل عدم تطابق مهم بین فرکانس های تشدید گسیل و جذب بالا به طور قابل توجهی تغییر می کند. این اصلاح شار میدان نزدیک بیشتر به دلیل اتصال ضعیف تر SPhP در لایه با ضخامت فزاینده است. بر اساس یک تحلیل مجانبی از رابطه پراکندگی، یک رویکرد تقریبی برای پیش‌بینی حالت‌های تشدید ارائه شده است که شار بین دو لایه را به حداکثر می‌رساند، که به طور بالقوه می‌تواند به چندین لایه نازک گسترش یابد. نتیجه این کار امکان انتقال حرارت تابشی میدان نزدیک را فراهم می‌کند و در نهایت می‌تواند برای طراحی نانوساختارهای سفارشی برای کاربردهای برداشت انرژی مورد استفاده قرار گیرد.
Cilt 43
مشاهده در منبع دانشگاه اوزیغین دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات
دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات دانشگاه اوزیغین

تنظیم طیفی شار حرارتی تابشی میدان نزدیک بین دو فیلم نازک کاربید سیلیکون

نویسنده فرانکوئور، ام.، منگوچ، مصطفی پینار، وایلون، آر.
تاریخ انتشار 2010
محل انتشار - موسسه فیزیک
موضوع مواد متراکم: الکتریکی، مغناطیسی و نوری، نیمه هادی ها، سطوح، رابط ها و لایه های نازک
نوع دوره ای
زبان انگلیسی
دیجیتال بله
نسخه خطی خیر
کتابخانه دانشگاه اوزیغین
شناسه دارایی کتابخانه 1361-6463
شماره ثبت 768a2447-fb2e-4f00-b890-663f705bd13a
محل کتابخانه مهندسی مکانیک
تاریخ 2010
یادداشت‌ها با توجه به محدودیت های کپی رایت، دسترسی به متن کامل این مقاله تنها از طریق اشتراک امکان پذیر است.
متن نمونه توزیع طیفی شار حرارتی تابشی بین دو فیلم نازک کاربید سیلیکون که با فاصله‌های زیر طول موج در خلاء از هم جدا شده‌اند، تحلیل می‌شوند. یک بیان تحلیلی برای شار میدان نزدیک بین دو لایه با ضخامت محدود از نظر بازتاب فیلم و ضرایب انتقال برای اولین بار به دست می‌آید. معادله به‌دست‌آمده به وضوح حالت‌های تشدید انتشار حرارتی، جذب و جفت متقابل فونون-پلاریتون‌های سطحی (SPhPs) بین لایه‌ها را نشان می‌دهد. هنگامی که لایه‌ها ضخامت یکسانی دارند، فرکانس‌های تشدید که انتشار حرارتی میدان نزدیک را به حداکثر می‌رساند تقریباً با فرکانس‌های جذب مطابقت دارد. اختلافات کوچک، به دلیل جفت شدن SPhP بین فیلم ها، منجر به از دست دادن انسجام طیفی می شود که بیشتر بر حالت فرکانس پایین تأثیر می گذارد. پروفیل‌های شار همچنین نشان می‌دهند که تقسیم رزونانس به دو فرکانس متمایز زمانی اتفاق می‌افتد که نسبت ضخامت فیلم به شکاف جداسازی کمتر از واحد باشد. هنگامی که ضخامت یک فیلم نسبت به دیگری افزایش می یابد، توزیع طیفی شار به دلیل عدم تطابق مهم بین فرکانس های تشدید گسیل و جذب بالا به طور قابل توجهی تغییر می کند. این اصلاح شار میدان نزدیک بیشتر به دلیل اتصال ضعیف تر SPhP در لایه با ضخامت فزاینده است. بر اساس یک تحلیل مجانبی از رابطه پراکندگی، یک رویکرد تقریبی برای پیش‌بینی حالت‌های تشدید ارائه شده است که شار بین دو لایه را به حداکثر می‌رساند، که به طور بالقوه می‌تواند به چندین لایه نازک گسترش یابد. نتیجه این کار امکان انتقال حرارت تابشی میدان نزدیک را فراهم می‌کند و در نهایت می‌تواند برای طراحی نانوساختارهای سفارشی برای کاربردهای برداشت انرژی مورد استفاده قرار گیرد.
Cilt 43
دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات
دانشگاه اوزیغین شما در حال هدایت مجدد هستید...

لطفاً صبر کنید