تخليق أحادي الطبقة نانومتر WS2 بطريقة ترسيب البخار الكيميائي
(Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method)
| العنوان | تخليق أحادي الطبقة نانومتر WS2 بطريقة ترسيب البخار الكيميائي |
|---|---|
| العنوان الأصلي | Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method |
| المؤلف | مريم نيري، حامد طاهري، فاطمة أوستوفاري |
| تاريخ النشر: | 1379 |
| مكان النشر | جامعة سمنان - جامعة سمنان |
| الموضوع | طريقة الأقراص المضغوطة، أحادي الطبقة، التحليل الطيفي رامان، ws2 |
| النوع | دورية |
| اللغة | العربية |
| رقمي | نعم |
| مخطوط | لا |
| المكتبة: | جامعة جيرونا |
| معرف أصل المكتبة | ISSN: 2008-4854, EISSN: 2783-2538, DOI: 10.22075/jme.2023.28234.2327 |
| رقم السجل | cdi_doaj_primary_oai_doaj_org_article_69ece8aa234546d5920a89560fd27e5f |
| موقع المكتبة | متاح على الانترنت |
| التاريخ | 1379 |
| نص عينة | تقدم Monolayer WS2 وعدًا كبيرًا للاستخدام في الأجهزة البصرية نظرًا لفجوة نطاقها المباشرة وكثافة اللمعان الضوئي العالية. وبهذه الطريقة، تعد المواد ذات المساحة الكبيرة وعالية الجودة ضرورية لتنفيذ التطبيقات التكنولوجية. في هذا البحث، قمنا بتركيب الطبقة الأحادية WS2 في ظل ظروف درجة حرارة يمكن التحكم فيها وتوصيف الأفلام باستخدام التحليل الطيفي للأشعة تحت الحمراء لتحويل فورييه (FTIR)، ورامان، والمطيافية الضوئية للأشعة السينية، والمجهر الإلكتروني الماسح (SEM). أظهرت النتائج أنه مع إدخال غاز الأرجون كحامل، تتحسن جودة الطبقة، ويزداد مستوى نمو WS2، ونتيجة لذلك، تظهر الأفلام متوسط سمك الطلاء 43 نانومتر. من خلال التحكم في درجة حرارة النمو ودخول الغاز الحامل للأرجون في الوقت المناسب، يتم تقليل سلائف WO3 بشكل أكثر فعالية ويتم حماية النقش التأكسدي للطبقات الأحادية المركبة. تؤدي إضافة الهيدروجين بشكل أكثر فعالية إلى تقليل سلائف WO3 ويحمي من النقش التأكسدي للطبقات الأحادية المركبة. تشير النتائج التي تم الحصول عليها إلى التوليف الكامل لبنية ثنائية الأبعاد (2D) لطبقة واحدة مع صفائح تتكون من حجم بلوري يبلغ حوالي 26 نانومتر وسمك حوالي 43 نانومتر. |
إصدارات أخرى
10
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 4689934
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 4863019
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 5226253
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 5299854
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 5302085
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 5302518
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 5303523
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 5312917
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 5334738
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
رقم السجل: 5392625