Yüzey aktif maddeler tarafından bulamaç aracılığı yoluyla germanyum CMP seçiciliğinin kontrol edilmesi

İsim Yüzey aktif maddeler tarafından bulamaç aracılığı yoluyla germanyum CMP seçiciliğinin kontrol edilmesi
Yazar Karagöz, Ayşe, Başım, Gül Bahar
Basım Tarihi: 2015-08-10
Basım Yeri - Elektrokimya Topluluğu
Konu Kimyasal mekanik düzlemselleştirme, Germanyum/silika seçiciliği, Sığ hendek izolasyonu, Yüzey aktif maddeler
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane: Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 2162-8769
Kayıt Numarası a5ee6035-ac1b-49ca-bcd4-9550952cecb5
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2015-08-10
Notlar Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin Mikroelektronik endüstrisindeki yeni gelişmeler ve cihaz performansı gereksinimleri, kimyasal mekanik düzlemselleştirme (CMP) sürecindeki zorlukları artırmaktadır. Yarı iletken üretimine yakın zamanda tanıtılan malzemelerden biri, gelişmiş devreler için sığ hendek izolasyonu (STI) uygulamalarında daha iyi kanal hareketliliği yoluyla gelişmiş cihaz performansı sağlayan germanyumdur. Bu makale, yüzey aktif maddelerle bulamaç modifikasyonu yoluyla ileri STI CMP uygulamaları için germanyum/silika seçiciliğinin kontrol edilmesine odaklanmaktadır. Katyonik ve anyonik yüzey aktif maddelerin germanyum ve silika levhalar üzerindeki yüzey adsorpsiyon özellikleri, CMP uygulamalarının kusurluluk performansının yanı sıra seçiciliğini de kontrol etmek amacıyla analiz edilmiştir. Yüzey aktif madde yükünün ve konsantrasyonunun (kendi kendine birleşmeye kadar) etkileri bulamaç stabilitesi, malzeme çıkarma oranları ve yüzey kusurları açısından incelenmiştir. Germanyum yüzeyinde yüzey aktif madde adsorpsiyonu yoluyla yüzey yükünün manipülasyonu, CMP için uygun yüzey aktif madde/oksitleyici sistemlerin seçiminde ana kriter olarak sunulmaktadır. Belirtilen korelasyonlar, istenen seçicilik sonuçları için bulamaç modifikasyon kriterlerini vurgulamak üzere sistematik olarak sunulmaktadır. Sonuç olarak makale, germanyum silika sistemini örnek uygulama olarak değerlendirerek CMP gereksinimi ile mikroelektronik uygulamalarına kazandırılan yeni malzemeler için çamur seçicilik kontrolü ve iyileştirme kriterlerini değerlendirmektedir.
DOI 10.1149/2.0151511jss
Cilt 4
Kaynağa git Özyeğin Üniversitesi Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru Özyeğin Üniversitesi

Yüzey aktif maddeler tarafından bulamaç aracılığı yoluyla germanyum CMP seçiciliğinin kontrol edilmesi

Yazar Karagöz, Ayşe, Başım, Gül Bahar
Basım Tarihi 2015-08-10
Basım Yeri - Elektrokimya Topluluğu
Konu Kimyasal mekanik düzlemselleştirme, Germanyum/silika seçiciliği, Sığ hendek izolasyonu, Yüzey aktif maddeler
Tür Süreli Yayın
Dil İngilizce
Dijital Evet
Yazma Hayır
Kütüphane Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası 2162-8769
Kayıt Numarası a5ee6035-ac1b-49ca-bcd4-9550952cecb5
Lokasyon Makine Mühendisliği
Tarih 2015-08-10
Notlar Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin Mikroelektronik endüstrisindeki yeni gelişmeler ve cihaz performansı gereksinimleri, kimyasal mekanik düzlemselleştirme (CMP) sürecindeki zorlukları artırmaktadır. Yarı iletken üretimine yakın zamanda tanıtılan malzemelerden biri, gelişmiş devreler için sığ hendek izolasyonu (STI) uygulamalarında daha iyi kanal hareketliliği yoluyla gelişmiş cihaz performansı sağlayan germanyumdur. Bu makale, yüzey aktif maddelerle bulamaç modifikasyonu yoluyla ileri STI CMP uygulamaları için germanyum/silika seçiciliğinin kontrol edilmesine odaklanmaktadır. Katyonik ve anyonik yüzey aktif maddelerin germanyum ve silika levhalar üzerindeki yüzey adsorpsiyon özellikleri, CMP uygulamalarının kusurluluk performansının yanı sıra seçiciliğini de kontrol etmek amacıyla analiz edilmiştir. Yüzey aktif madde yükünün ve konsantrasyonunun (kendi kendine birleşmeye kadar) etkileri bulamaç stabilitesi, malzeme çıkarma oranları ve yüzey kusurları açısından incelenmiştir. Germanyum yüzeyinde yüzey aktif madde adsorpsiyonu yoluyla yüzey yükünün manipülasyonu, CMP için uygun yüzey aktif madde/oksitleyici sistemlerin seçiminde ana kriter olarak sunulmaktadır. Belirtilen korelasyonlar, istenen seçicilik sonuçları için bulamaç modifikasyon kriterlerini vurgulamak üzere sistematik olarak sunulmaktadır. Sonuç olarak makale, germanyum silika sistemini örnek uygulama olarak değerlendirerek CMP gereksinimi ile mikroelektronik uygulamalarına kazandırılan yeni malzemeler için çamur seçicilik kontrolü ve iyileştirme kriterlerini değerlendirmektedir.
DOI 10.1149/2.0151511jss
Cilt 4
Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru
Özyeğin Üniversitesi yönlendiriliyorsunuz...

Lütfen bekleyiniz.