انتقال تابشی میدان نزدیک قابل تنظیم توسط نیمه هادی های ترکیبی گروه III-V

عنوان انتقال تابشی میدان نزدیک قابل تنظیم توسط نیمه هادی های ترکیبی گروه III-V
نویسنده الچی اوغلو، ای. ب.، دیداری، آزاده، اوزیورت، تی او.، منگوچ، مصطفی پینار
تاریخ انتشار: 2019-03-06
محل انتشار - انتشارات IOP
موضوع تابش حرارتی میدان نزدیک، برداشت انرژی، مواد ویفر، دوپینگ
نوع دوره ای
زبان انگلیسی
دیجیتال بله
نسخه خطی خیر
کتابخانه: دانشگاه اوزیغین
شناسه دارایی کتابخانه 0022-3727
شماره ثبت ff65a97b-96ff-4109-97f1-38482657707c
محل کتابخانه مهندسی مکانیک
تاریخ 2019-03-06
یادداشت‌ها TÜBİTAK ; مرکز انرژی، محیط زیست و اقتصاد (CEEE) در دانشگاه Ozyegin، استانبول، ترکیه
متن نمونه انتقال تشعشعی میدان نزدیک (NFRT) به مکانیسم انتقال انرژی اشاره دارد که بین محیط‌هایی که با فاصله‌های قابل مقایسه یا بسیار کوچک‌تر از طول موج غالب انتشار از هم جدا شده‌اند، صورت می‌گیرد. NFRT به دلیل سهم امواج ناپایدار و طبیعت منسجم انتقال انرژی در نانو شکاف ها است و می تواند از حد جسم سیاه پلانک فراتر رود. همانطور که محققان این پدیده را بیشتر بررسی می کنند و شروع به ساخت پلت فرم های سفارشی می کنند، پیشرفت در استفاده از NFRT در کاربردهای برداشت انرژی روز به روز به جلو می رود. در طراحی و ساخت چنین دستگاه‌های برداشت، ویژگی‌های شیمیایی و فیزیکی سطوح و ویفرها برای توسعه راه‌حل‌های مؤثر مهم است. در این کار، ما چندین ویفر نیمه هادی ترکیبی گروه III-V (عمدتا GaAs، InSb، و InP) را از نقطه نظر ساخت مقایسه می‌کنیم تا استفاده احتمالی آنها را در دستگاه‌های آینده بررسی کنیم. نتایج ارائه شده در اینجا نشان می دهد که نوع ناخالصی، دمای ویفر و اندازه شکاف عوامل بسیار مهمی هستند زیرا بر نرخ NFRT تأثیر می گذارند. ویفرهای GaAs، InSb، و InP به طور قابل توجهی شارهای میدان نزدیک را فراتر از نرخ‌های جسم سیاه افزایش می‌دهند، و InSb نوع n به بالاترین میزان افزایش می‌دهد. برای GaAs، نوع p در مقایسه با GaAs نوع n، شار تابشی بالاتری را به همراه داشت، در مقابل InSb نوع n که عملکرد بهتری از همتایان نوع p و بدون دوش خود داشت. علاوه بر این، استفاده احتمالی از n-InSb به عنوان سلول TPV در 550K برای برداشت موثر انرژی مورد بحث قرار گرفته است. این یافته‌ها می‌تواند برای تعیین نوع ماده مناسب برای دستگاه‌های برداشت انرژی مبتنی بر NFRT ساطع کننده و غیر تابشی مفید باشد.
DOI 10.1088/1361-6463/aaf947
Cilt 52
مشاهده در منبع دانشگاه اوزیغین دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات
دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات دانشگاه اوزیغین

انتقال تابشی میدان نزدیک قابل تنظیم توسط نیمه هادی های ترکیبی گروه III-V

نویسنده الچی اوغلو، ای. ب.، دیداری، آزاده، اوزیورت، تی او.، منگوچ، مصطفی پینار
تاریخ انتشار 2019-03-06
محل انتشار - انتشارات IOP
موضوع تابش حرارتی میدان نزدیک، برداشت انرژی، مواد ویفر، دوپینگ
نوع دوره ای
زبان انگلیسی
دیجیتال بله
نسخه خطی خیر
کتابخانه دانشگاه اوزیغین
شناسه دارایی کتابخانه 0022-3727
شماره ثبت ff65a97b-96ff-4109-97f1-38482657707c
محل کتابخانه مهندسی مکانیک
تاریخ 2019-03-06
یادداشت‌ها TÜBİTAK ; مرکز انرژی، محیط زیست و اقتصاد (CEEE) در دانشگاه Ozyegin، استانبول، ترکیه
متن نمونه انتقال تشعشعی میدان نزدیک (NFRT) به مکانیسم انتقال انرژی اشاره دارد که بین محیط‌هایی که با فاصله‌های قابل مقایسه یا بسیار کوچک‌تر از طول موج غالب انتشار از هم جدا شده‌اند، صورت می‌گیرد. NFRT به دلیل سهم امواج ناپایدار و طبیعت منسجم انتقال انرژی در نانو شکاف ها است و می تواند از حد جسم سیاه پلانک فراتر رود. همانطور که محققان این پدیده را بیشتر بررسی می کنند و شروع به ساخت پلت فرم های سفارشی می کنند، پیشرفت در استفاده از NFRT در کاربردهای برداشت انرژی روز به روز به جلو می رود. در طراحی و ساخت چنین دستگاه‌های برداشت، ویژگی‌های شیمیایی و فیزیکی سطوح و ویفرها برای توسعه راه‌حل‌های مؤثر مهم است. در این کار، ما چندین ویفر نیمه هادی ترکیبی گروه III-V (عمدتا GaAs، InSb، و InP) را از نقطه نظر ساخت مقایسه می‌کنیم تا استفاده احتمالی آنها را در دستگاه‌های آینده بررسی کنیم. نتایج ارائه شده در اینجا نشان می دهد که نوع ناخالصی، دمای ویفر و اندازه شکاف عوامل بسیار مهمی هستند زیرا بر نرخ NFRT تأثیر می گذارند. ویفرهای GaAs، InSb، و InP به طور قابل توجهی شارهای میدان نزدیک را فراتر از نرخ‌های جسم سیاه افزایش می‌دهند، و InSb نوع n به بالاترین میزان افزایش می‌دهد. برای GaAs، نوع p در مقایسه با GaAs نوع n، شار تابشی بالاتری را به همراه داشت، در مقابل InSb نوع n که عملکرد بهتری از همتایان نوع p و بدون دوش خود داشت. علاوه بر این، استفاده احتمالی از n-InSb به عنوان سلول TPV در 550K برای برداشت موثر انرژی مورد بحث قرار گرفته است. این یافته‌ها می‌تواند برای تعیین نوع ماده مناسب برای دستگاه‌های برداشت انرژی مبتنی بر NFRT ساطع کننده و غیر تابشی مفید باشد.
DOI 10.1088/1361-6463/aaf947
Cilt 52
دانشگاه اوزیغین - موتور جستجوی آثار تاریخی، آرشیوها و نشریات
دانشگاه اوزیغین شما در حال هدایت مجدد هستید...

لطفاً صبر کنید