Yazar
Başım, Gül Bahar, Karagöz, Ayşe, Özdemir, Zeynep
Basım Tarihi
2012-01
Basım Yeri
-
Cambridge Üniversitesi Yayınları
Konu
CMP, İnce film
Tür
Belge
Dil
İngilizce
Dijital
Evet
Yazma
Hayır
Kütüphane
Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası
2-s2.0-84879276246
Kayıt Numarası
3ed9b70b-b433-4087-b300-f89fbf181818
Lokasyon
Makine Mühendisliği
Tarih
2012-01
Notlar
Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin
Kimyasal Mekanik Düzlemselleştirme (CMP), mikroelektronik üretiminde fotolitografiyi ve dolayısıyla çok seviyeli metalleştirmeyi mümkün kılmak için metal ve dielektrik yüzeylerin düzlemselliğini sağlamak için yaygın olarak kullanılır. Bu çalışmanın amacı, bulamaç formülasyonları için uygun oksitleyici konsantrasyonlarının seçimini mümkün kılmak amacıyla CMP sırasında nano ölçekli koruyucu oksit ince filmlerin dinamik büyümesine ilişkin temel bir anlayış oluşturmaktır. Bu metal oksit filmlerin çeşitli oksitleyicilerde oluşumunu incelemek için model metal film olarak Tungsten seçildi ve CMP gerçekleştirilmeden önce ve sonra oksitleyici ortamda şartlandırılan numunelerin yüzey pürüzlülüğünü ölçmek için Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) kullanıldı. Yüzey pürüzlülüğünün yüzeylerin ıslanabilirliği üzerindeki etkisi, işlenmiş tungsten filmler üzerinde temas açısı ölçümleri yoluyla da incelenmiştir. Tungsten yüzeyindeki oksitlenmiş nano filmlerin kalınlıklarını belirlemek için Zayıflatılmış Toplam Yansımalı Fourier Dönüşümü Kızılötesi Spektroskopisi FTIR/ATR tekniği ile X-Işını Yansıtıcılığı (XRR) birlikte kullanıldı. Sonuçlar, oluşturulan oksit filmin kendi kendini koruyan bir oksit olma yeteneğini belirlemek için oksitlenmiş nano filmlerin Pilling-Bedworth oranlarının karşılaştırılmasına ek olarak W-CMP için literatürde bildirilen malzeme uzaklaştırma yanıtları aracılığıyla değerlendirildi.
DOI
10.1557/opl.2012.1361
Cilt
1428
