Yazar
Özbek, Şebnem
Basım Tarihi
2018-07
Konu
Makine Mühendisliği
Tür
Belge
Dil
İngilizce
Dijital
Evet
Yazma
Hayır
Kütüphane
Özyeğin Üniversitesi
Kayıt Numarası
5388edae-8da9-4039-876d-753a3834064c
Lokasyon
Makine Mühendisliği Bölümü
Tarih
2018-07
Örnek Metin
Bu tezde, düzlemselleştirme sonrası yüzey kalitesini kontrol ederken Galyum Nitrür (GaN) malzeme kaldırma oranlarını artırmak için yeni bir Kimyasal Mekanik Düzlemselleştirme (CMP) işlemi ve tamamlayıcı bir araç kurulumu tanıtılmaktadır. Temel proses değişkenleri, bunları optimum seviyeye ayarlamak için incelenirken, proses kimyasının yakından kontrolü yoluyla yüksek malzeme çıkarma oranları ve kabul edilebilir yüzey kalitesi sağlamak için yeni bir araç kurulumuna ek olarak yeni bir bulamaç besleme metodolojisi tanıtılıyor. Düzenli ve viskoelastik sıvılar kullanılarak partikül ve kirletici madde ayrılma verimliliğini belirlemek için CMP sonrası temizleme prosedürleri de cam slaytlarla (model olarak) incelenir. CMP sonrası temizlik için, levhanın yüzey kalitesinin korunmasına yardımcı olabilecek yeni bir parçacık giderme prosedürü tanıtıldı. GaN'ın CMP'si, GaN'ın yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık mikroelektronik cihaz imalatında bir malzeme olarak son zamanlarda geliştirilen geniş uygulama alanları nedeniyle dikkat çeken yeni bir çalışma alanıdır. Bununla birlikte, sertlik ve kırılmaya yatkınlık gibi zorlu mekanik özelliklerinin yanı sıra, kristalografik oryantasyona dayalı çamur katkı maddelerine kimyasal karşılık gelmesi, GaN yüzeyinin düzlemselleştirilmesi için karmaşık işlemlere ve sarf malzemelerinin etkisiz kullanımına neden olur. Bu nedenle, bu çalışma, GaN toplu levhaların düzlemselleştirme sürecinin optimizasyonuna odaklanarak, malzeme kaldırma oranlarını artırarak ve yüzey kalitesini koruyarak CMP işlem süresini kısaltarak sürecin daha verimli ve sürdürülebilir olmasını sağlar. Yeni bir sıcaklık havalandırma metodu ve buna ek olarak yeni bir deney düzeni, proses kimyasının yakın kontrolü ile yüksek malzeme aşınım oranı ve kabul edilebilir yüzey pürüzlülüğü sağlanacak şekilde kurulmuştur. CMP'nin ardından temizleme temizlemesinin, parçalarının ve kirlenmenin giderilmesinin sağlanmasının belirlenmesi için camlarla da bulunacaktır. CMP'nin ardından sıcaklık için yarı iletken kuponun yüzeylerinin korunması yardımcı olabilecek yeni bir giderme işlemi denenmiştir. GaN CMP, yeni kayıtlı bir çalışma alanıdır ve yeni liste geniş uygulama yelpazesi sayesinde yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek alanlardaki mikro elektronik cihaz üretiminde dikkat çekmektedir. Geniş bant genişliği enerjisi ve yüksek elektron hareketi nedeniyle, GaN, birçok birleştirme tercih edilir. Bunların arasında, engel alanı olarak şirket heterojunction alan etkileri transistörleri (HFET) ve benzerleri, AlGaN/GaN güç geçişini sağlayan yüksek elektron hareketlilik transistörleri (HEMT) tampon olarak kullanılır. Ancak mekanik özellikler, GaN yüzeyini düzleştirmek için karmaşık parçalar ve sarf malzemelerinin etkisiz hale getirilmesine neden olur. Bu nedenle, bu çalışma, prosesin sürdürülebilir hale gelmesi için malzeme aşınım oranlarının yayılma yoluyla CMP işlem değişiminin azaltılması için GaN yarı iletken kuponlarının planlama bölümünün saklanmasına odaklanılmalıdır.
