Yazar
Başım, Gül Bahar, Karagöz, Ayşe, Chen, L., Vakarelski, I.
Basım Tarihi
2013
Basım Yeri
-
Cambridge Üniversitesi Yayınları
Konu
CMP, Ge, Kendi kendine montaj
Tür
Belge
Dil
İngilizce
Dijital
Evet
Yazma
Hayır
Kütüphane
Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası
2-s2.0-84899822148
Kayıt Numarası
5e7a09a2-2404-42e5-8919-402e43521be1
Lokasyon
Makine Mühendisliği
Tarih
2013
Notlar
Telif hakkı kısıtlamaları nedeniyle bu makalenin tam metnine erişim yalnızca abonelik yoluyla mümkündür.
Örnek Metin
Bu çalışmada, kendiliğinden birleşen yüzey aktif madde yapılarının varlığında bulamaç formülasyonları, oksitleyicilerin yokluğunda ve varlığında Ge/SiO2 CMP uygulamaları için araştırıldı. Bulamaç formülasyonlarında pH ve oksitleyici konsantrasyonunun bir fonksiyonu olarak hem anyonik (sodyum dodesil sülfat-SDS) hem de katyonik (setil trimetil amonyum bromit-C12TAB) miseller kullanıldı. Ge ve SiO2 levhaların CMP performansları malzeme kaldırma oranları, seçicilik ve yüzey kalitesi açısından değerlendirildi. Malzeme çıkarma oranı yanıtları, ön analizler için daha hızlı bir yanıt elde etmek amacıyla AFM aşınma oranı testleri aracılığıyla da değerlendirildi. Yüzey aktif madde adsorpsiyon özellikleri, temas açısı ölçümleri yoluyla Ge ve SiO2 tabakalarının yüzey ıslanabilirlik tepkileri yoluyla incelenmiştir. Kendiliğinden birleşen yüzey aktif madde yapılarının, bulamaçtaki oksitleyicinin düşük konsantrasyonlarında silika/germanyum sistemi üzerinde seçicilik elde edilmesine yardımcı olabildiği gözlemlendi.
DOI
10.1557/opl.2013.971
Cilt
1560