Yazar
Turt, Doğancan, Akgiray, Ahmed Halid
Basım Tarihi
2021
Basım Yeri
-
IEEE
Konu
GaN HEMT, Yüksek verimlilik, Katma güç verimliliği (PAE), Güç amplifikatörü (PA), Geniş bant
Tür
Belge
Dil
İngilizce
Dijital
Evet
Yazma
Hayır
Kütüphane
Özyeğin Üniversitesi
Demirbaş Numarası
978-166542816-3
Kayıt Numarası
71c61e51-34d0-47a1-8934-7494b1f4f1d9
Lokasyon
Elektrik ve Elektronik Mühendisliği
Tarih
2021
Notlar
Cree Inc.
Örnek Metin
Bu makale, noktadan noktaya radyolar, elektronik savaş sistemleri ve test ve ölçüm uygulamalarına yönelik geniş bantlı bir GaN HEMT güç amplifikatörünün tasarımını ve ölçümlerini sunmaktadır. Önerilen güç amplifikatörü üretilmiş ve küçük/büyük sinyal ölçümleri toplanmıştır. Fabrikasyon tasarım 26 dBm giriş gücü için yapılmış ve 39,6 - 40,9 dBm çıkış gücü arasında elde edilmiştir. Bant (0,5 - 2,5 GHz) üzerinden %45,9 ile %61,4 arasında güç katma verimliliğine (PAE) ulaşılır. Bu çalışmada CW modunda Wolfspeed'in CGH40010F transistörü kullanılmıştır. Transistörün optimum kaynak ve yük empedanslarına karar vermek için yük-kaynak-çekme simülasyonları yapılmıştır. Yük-kaynak-çekme simülasyonları sonrasında bant üzerinde optimum çıkış gücü ve verimlilik değerlerinin elde edilebilmesi için uygun kaynak ve yük eşleştirme ağları kurulur.
DOI
10.1109/ICRAMET53537.2021.9650475
