Two-stage broadband class-AB high power amplifier design using gan hemt technology

Name: Two-stage broadband class-AB high power amplifier design using gan hemt technology
Author: Turt, Doğancan

İsim	Two-stage broadband class-AB high power amplifier design using gan hemt technology
Yazar	Turt, Doğancan
Basım Tarihi:	2022-06-07T06:06:24Z
Tür	Belge
Dil	İngilizce
Dijital	Evet
Yazma	Hayır
Kütüphane:	Özyeğin Üniversitesi
Kayıt Numarası	94ecb0d5-4369-42eb-8472-3e20ba564004
Lokasyon	Department of Electrical and Electronics Engineering
Tarih	2022-06-07T06:06:24Z
Örnek Metin	Modern radio systems need broadband, high efficiency power amplifiers to cover a wide frequency spectrum with reliable system performance. Linearity is another critical parameter in power amplifier design and there is a trade-off between linearity and efficiency. Class-AB design presents a compromise in terms of linearity and efficiency for the radio frequency systems. In this thesis, two-stages broadband high power amplifier design using GaN HEMT technology is presented. Simulations and measurements are based on the transistor models provided by the manufacturer. The design has minimum 43 % power added efficiency (PAE) and 47.3 dBm output power over the 0.5 - 2.5 GHz operating frequency., Modern radyo sistemleri, güvenilir sistem performansıyla geniş bir frekans spektrumunu kapsamak için geniş bantlı, yüksek güçlü verimli güç amplifikatörlerine ihtiyaç duyar. Lineerlik güç yükselteci tasarımında diğer bir kritik parametredir ve lineerlik ve verim arasında bir ödünleşim vardır. AB sınıfı tasarım radyo frekansı sistemleri için lineerlik ve verimlilik yönünden bir uzlaşma sunmaktadır. Bu tezde GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş band yüksek güçlü yükselteç tasarımı sunulmaktadır. Simülasyonlar ve ölçümler üretici tarafından sağlanan transistör modellerine dayanmaktadır. Tasarım 0.5 - 2.5 GHz çalışma bandında minimum 43 % güç eklemeli verimlilik ve 47.3 dBm çıkış gücüne sahiptir.

Kaynağa git Özyeğin Üniversitesi

Aramaya Dön

Özyeğin Üniversitesi

Kaynağa git

Two-stage broadband class-AB high power amplifier design using gan hemt technology

Yazar Turt, Doğancan

Basım Tarihi 2022-06-07T06:06:24Z

Tür Belge

Dil İngilizce

Dijital Evet

Yazma Hayır

Kütüphane Özyeğin Üniversitesi

Kayıt Numarası 94ecb0d5-4369-42eb-8472-3e20ba564004

Lokasyon Department of Electrical and Electronics Engineering

Tarih 2022-06-07T06:06:24Z

Örnek Metin Modern radio systems need broadband, high efficiency power amplifiers to cover a wide frequency spectrum with reliable system performance. Linearity is another critical parameter in power amplifier design and there is a trade-off between linearity and efficiency. Class-AB design presents a compromise in terms of linearity and efficiency for the radio frequency systems. In this thesis, two-stages broadband high power amplifier design using GaN HEMT technology is presented. Simulations and measurements are based on the transistor models provided by the manufacturer. The design has minimum 43 % power added efficiency (PAE) and 47.3 dBm output power over the 0.5 - 2.5 GHz operating frequency., Modern radyo sistemleri, güvenilir sistem performansıyla geniş bir frekans spektrumunu kapsamak için geniş bantlı, yüksek güçlü verimli güç amplifikatörlerine ihtiyaç duyar. Lineerlik güç yükselteci tasarımında diğer bir kritik parametredir ve lineerlik ve verim arasında bir ödünleşim vardır. AB sınıfı tasarım radyo frekansı sistemleri için lineerlik ve verimlilik yönünden bir uzlaşma sunmaktadır. Bu tezde GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş band yüksek güçlü yükselteç tasarımı sunulmaktadır. Simülasyonlar ve ölçümler üretici tarafından sağlanan transistör modellerine dayanmaktadır. Tasarım 0.5 - 2.5 GHz çalışma bandında minimum 43 % güç eklemeli verimlilik ve 47.3 dBm çıkış gücüne sahiptir.