Aramaya Dön

Yarı rezonans topolojisi ve titreşim yöntemi ile indüksiyon ocak tasarımı ve deney sonuçları

İsim	Yarı rezonans topolojisi ve titreşim yöntemi ile indüksiyon ocak tasarımı ve deney sonuçları
Yazar	Tülü, Mehmet Emin
Basım Tarihi:	2012-08
Konu	Elektromanyetik indüksiyon, Rezonans dönüştürücü teknolojisi, Rezonans DC hattı, Titreşim, Cilt etkisi, IGBT, Yarı rezonans topolojisi
Tür	Belge
Dil	İngilizce
Dijital	Evet
Yazma	Hayır
Kütüphane:	Özyeğin Üniversitesi
Kayıt Numarası	f8196d7f-a034-4ad9-9426-1fc17ccf5674
Lokasyon	Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
Tarih	2012-08
Örnek Metin	Bu tez, bir indüksiyonlu ocak tasarımı ve bunun ayrıntılı deneysel sonuçlarını sunmaktadır. Tasarım, Yarı Rezonans Topolojisine dayanmaktadır ve yarı iletken anahtarları (IGBT'ler) çalıştırmak için kullandığı özel Jitter Yöntemi açısından benzersizdir. Çoğu indüksiyonlu ocak Yarım Köprü Topolojisine dayanmaktadır. Yarı Rezonant Topoloji daha uygun maliyetli bir uygulama sunmasına rağmen daha fazla EMI sorununa neden olur. Ancak bu sorunları Jitter Yöntemimizle çözüyoruz. Literatürde EMI sorunlarını bir çeşit jitter yöntemiyle (yayılı spektrum yöntemleri) çözen başka çalışmalar olmasına rağmen, bu yöntemler IGBT'ler arasında oluşturulan yüksek voltaj stresini ele almamaktadır. Ancak bu tezde önerilen Jitter Yöntemi, EMI'yi iyileştirmenin yanı sıra kolektör-emitör gerilim stresini de azaltır. Titreşim yöntemlerinin ayrıca duyulabilir gürültüye neden olan mekanik titreşimi (yani rezonansı) önlediğini unutmayın. Bu tezi literatürde benzersiz kılan bir diğer husus da içerdiği zengin deneysel sonuçlardır. 2300W güç derecesiyle oluşturduğumuz deneysel bir prototipe dayanmaktadır. Mevcut literatür çoğunlukla teorik tedaviyi içerse de, Yarı Rezonans Topolojisi için ayrıntılı deneysel sonuçlar ürettik ve mevcut harmoniklerin (şebekeden alınan) yayınlanmış standartlar (TS EN 61000-3-2) dahilinde kaldığını gösterdik. Ayrıca Verilen Güç Algılama, Pan Algılama ve Koruma Devreleri için deneysel sonuçları da dahil ediyoruz.

Kaynağa git Özyeğin Üniversitesi Özyeğin Üniversitesi - Tarihî eser, arşiv ve süreli yayın arama motoru

Özyeğin Üniversitesi

Yarı rezonans topolojisi ve titreşim yöntemi ile indüksiyon ocak tasarımı ve deney sonuçları

Yazar Tülü, Mehmet Emin

Basım Tarihi 2012-08

Konu Elektromanyetik indüksiyon, Rezonans dönüştürücü teknolojisi, Rezonans DC hattı, Titreşim, Cilt etkisi, IGBT, Yarı rezonans topolojisi

Tür Belge

Dil İngilizce

Dijital Evet

Yazma Hayır

Kütüphane Özyeğin Üniversitesi

Kayıt Numarası f8196d7f-a034-4ad9-9426-1fc17ccf5674

Lokasyon Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Tarih 2012-08

Örnek Metin Bu tez, bir indüksiyonlu ocak tasarımı ve bunun ayrıntılı deneysel sonuçlarını sunmaktadır. Tasarım, Yarı Rezonans Topolojisine dayanmaktadır ve yarı iletken anahtarları (IGBT'ler) çalıştırmak için kullandığı özel Jitter Yöntemi açısından benzersizdir. Çoğu indüksiyonlu ocak Yarım Köprü Topolojisine dayanmaktadır. Yarı Rezonant Topoloji daha uygun maliyetli bir uygulama sunmasına rağmen daha fazla EMI sorununa neden olur. Ancak bu sorunları Jitter Yöntemimizle çözüyoruz. Literatürde EMI sorunlarını bir çeşit jitter yöntemiyle (yayılı spektrum yöntemleri) çözen başka çalışmalar olmasına rağmen, bu yöntemler IGBT'ler arasında oluşturulan yüksek voltaj stresini ele almamaktadır. Ancak bu tezde önerilen Jitter Yöntemi, EMI'yi iyileştirmenin yanı sıra kolektör-emitör gerilim stresini de azaltır. Titreşim yöntemlerinin ayrıca duyulabilir gürültüye neden olan mekanik titreşimi (yani rezonansı) önlediğini unutmayın. Bu tezi literatürde benzersiz kılan bir diğer husus da içerdiği zengin deneysel sonuçlardır. 2300W güç derecesiyle oluşturduğumuz deneysel bir prototipe dayanmaktadır. Mevcut literatür çoğunlukla teorik tedaviyi içerse de, Yarı Rezonans Topolojisi için ayrıntılı deneysel sonuçlar ürettik ve mevcut harmoniklerin (şebekeden alınan) yayınlanmış standartlar (TS EN 61000-3-2) dahilinde kaldığını gösterdik. Ayrıca Verilen Güç Algılama, Pan Algılama ve Koruma Devreleri için deneysel sonuçları da dahil ediyoruz.